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摘要
p-i-n 鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)因其卓越的穩(wěn)定性和極小的滯后效應(yīng),被視為緩解全球能源危機(jī)的一種極具潛力的解決方案。近年來,基于自組裝單層(SAM)的 p-i-n PSCs 已展現(xiàn)出約 27% 的功率轉(zhuǎn)換效率(PCEs)。與現(xiàn)有圍繞 SAM 分子結(jié)構(gòu)調(diào)制的綜述不同,本工作重點(diǎn)關(guān)注基于 SAM 的倒置 PSC 在掩埋界面工程方面的最新進(jìn)展。首先,通過對文獻(xiàn)的全面分析,定義了八種不同的掩埋界面工程策略,并闡明了其潛在機(jī)制。其次,系統(tǒng)梳理了 SAM 基倒置 PSC 在穩(wěn)定性研究方面的最新進(jìn)展。最后,提出了優(yōu)化器件效率、穩(wěn)定性及可擴(kuò)展商業(yè)化的策略建議。

01
文章概要
一、引言p-i-n 鈣鈦礦電池優(yōu)勢穩(wěn)定性高、滯后效應(yīng)小,與商業(yè)晶硅電池可集成,鈣鈦礦 - 硅疊層電池 PCE 達(dá) 34.60%,突破肖克利 - 奎瑟極限(33.70%)。界面工程重要性掩埋界面影響鈣鈦礦結(jié)晶、載流子提取,但其表征因薄膜剝離復(fù)雜而受限。SAM 作為 HTL由錨定基團(tuán)、間隔基團(tuán)、頭基團(tuán)組成,可調(diào)功函、低電阻,代表 SAM 如 MeO-2PACz、Me-4PACz,基于 SAM 的 PSC PCE 接近 27%,但存在分子聚集、能級失配、潤濕性差等問題。
二、掩埋界面工程策略策略 | 核心機(jī)制 | 典型案例 |
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溶劑工程 | 改善 SAM 聚集,調(diào)節(jié)鈣鈦礦前驅(qū)體潤濕性與結(jié)晶 | NMP 引入三元溶劑體系,改善 CsFAMA 基 PSC 潤濕性 |
粗糙度調(diào)節(jié)工程 | 引入無機(jī)納米顆粒(如 Al?O?、NiO?)優(yōu)化界面平整度 | Al?O? NPs 填充界面空隙,促進(jìn)鈣鈦礦晶粒生長 |
共 SAMs | 第二組分 SAM 抑制主 SAM 聚集,提高覆蓋度 | 甘氨酸與 2PACz 共沉積,鈍化 Sn-Pb 鈣鈦礦界面缺陷 |
后 SAMs(Po-SAMs) | 兩步沉積形成雙層 HTL,填充界面 voids | Br-EPA 沉積于 Me-4PACz,減少漏電流 |
共吸附 | 小分子 / 聚合物與 SAM 相互作用,改善界面接觸 | 2-MeIM 與 Me-2PACz 形成超分子結(jié)構(gòu),提升 HTL 均勻性 |
后吸附(Po-adsorption) | 功能材料后處理改善 SAM 覆蓋與鈣鈦礦結(jié)晶 | NCL 抑制 SAM 聚集,增強(qiáng) CsPbI?基 PSC 界面接觸 |
化學(xué)橋接工程 | 聚合物 / 鹽構(gòu)建 SAM 與鈣鈦礦間化學(xué)橋,增強(qiáng)相互作用 | PANI 通過 π-π 作用與 MeO-2PACz 結(jié)合,鈍化鈣鈦礦缺陷 |
LD/3D 異質(zhì)結(jié)工程 | 1D/2D 鈣鈦礦鈍化界面缺陷,優(yōu)化能級對齊 | CA 引入形成 1D/3D 異質(zhì)結(jié),提升電荷提取效率 |
三、穩(wěn)定性增強(qiáng)進(jìn)展SAM 分子結(jié)構(gòu)調(diào)制- 共軛擴(kuò)展如 4PABCz 通過強(qiáng) π-π 堆疊形成致密 HTL,1000h 后保留 93.98% PCE。
- 功能基團(tuán)引入E-cbzBT 含扭曲分子結(jié)構(gòu),優(yōu)化能級對齊,T??超過 1000h。
掩埋界面工程- 共吸附策略:MB 引入 NiO?/Me-4PACz 界面,1500h 紫外照射后保留 91% 效率。
- 化學(xué)橋接:PHMG 作為界面粘合劑,1630h 連續(xù)光照后保留 97.5% 效率。
四、總結(jié)與展望共 SAMs 策略優(yōu)勢第二組分需含親水基團(tuán)(如 - NH?)、具空間位阻,如 6PA、MPA 等,可低成本提升器件性能。未來方向- 先進(jìn)表征:RAIRS、TOF-SIMS 等解析掩埋界面機(jī)制。
- 計(jì)算篩選:結(jié)合第一性原理與機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)高效界面材料。
- 策略協(xié)同:ALD 技術(shù)與分子擠出工藝結(jié)合,提升大面積器件重復(fù)性。
- n 型 SAM 研究:開發(fā)萘胺、富勒烯基 SAM,拓展至 n-i-p 電池。

02
圖文信息

圖 1. 自組裝單層(SAM)分子結(jié)構(gòu)及基于 SAM 的鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)掩埋界面關(guān)鍵問題示意圖

圖 2. a) PbI?分布調(diào)制示意圖。b) 熱退火過程中 IPA-CbzNaph 和 Co-CbzNaph 的原位光致發(fā)光(PL)強(qiáng)度演變。c) 熱退火時(shí)間內(nèi)的 PL 峰值強(qiáng)度演變。d) 兩親性 SAM 分子形成膠束及在共溶劑中分解的示意圖。e) 對照組和 DMSO 處理的 2PACz-SAM 的原子力顯微鏡(AFM)形貌圖像。f) 處理前不均勻的 2PACz-SAM 分子排列及處理后重新取向的示意圖。

圖 3. a) 器件結(jié)構(gòu)示意圖:對照組薄膜、含 Al?O?納米顆粒的空穴傳輸層(ST-Al?O?),以及結(jié)合 Al?O?納米顆粒和 PEABr 的空穴傳輸層(ST-Al?O?&D-PEABr)。b) 對照組、ST-Al?O?、D-PEABr 和 ST-Al?O?&D-PEABr 薄膜在 98±1% 濕度下老化 5 天的光學(xué)圖像。c) 鈣鈦礦溶液在 ITO/Me-4PACz、ITO/Me-4PACz/PFN-Br 和 ITO/Me-4PACz/Al?O?上的滾落角測量結(jié)果。d) Me-4PACz 和調(diào)制后的 NiO?/Me-4PACz 的表面電勢 KPFM 圖像。e) 照片顯示裸露 Me-4PACz 對鈣鈦礦的潤濕性差,以及 PFN-Br/Al?O?修飾后潤濕性的改善。f) 含或不含 Al?O?納米顆粒的掩埋界面示意圖。

圖 4. a) 涂覆在 ITO/2PACz 和 ITO / 共 SAM 上的 Sn-Pb 鈣鈦礦薄膜的晶格結(jié)構(gòu)示意圖。b) 含 2PACz、共 SAM 和甘氨酸的器件的填充因子(FF)損失分析。c) 涂覆在 ITO/2PACz(上)和 ITO / 共 SAM(下)上的鈣鈦礦薄膜的橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。d) 沉積在 ITO 上的 MeO-2PACz 和混合 SAM 的薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。e) SAM 分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)及其水接觸角。f) 通過共沉積鈣鈦礦和優(yōu)化混合比例的 SAMs 實(shí)現(xiàn)寬帶隙(WBG)鈣鈦礦沉積過程的示意圖。g) Mx-SAM 的分子結(jié)構(gòu)(左:Me-4PACz,右:MeO-PhPACz)。

圖 5. a) 后自組裝單層(po-SAMs)沉積過程示意圖。b) 自組裝雙層(SAB,SAM + 潤濕層)結(jié)構(gòu)示意圖。c) 目標(biāo)器件結(jié)構(gòu)的橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。d) SAM@準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu)的作用機(jī)制示意圖。e) 鈣鈦礦在 CNph 和 CNph@POZ-BT-PY 包覆的氧化銦錫(ITO)上的皮秒瞬態(tài)吸收(ps-TA)光譜二維偽彩色圖。f) 鈣鈦礦在 CNph 和 CNph@POZ-BT-Py 上的表面形貌 SEM 圖像。
圖 6. a) MeO-2PACz、2-MeIM 和 2-MeBIM 的分子結(jié)構(gòu)與球棍模型。b) 含添加劑與不含添加劑的相應(yīng)薄膜的表面粗糙度。c) 對照組與混合 SAM 的示意圖。d) 2PACz 基鈣鈦礦薄膜與共吸附(CA)基鈣鈦礦薄膜的掩埋界面高分辨率原子力顯微鏡(AFM)圖像,晶界溝槽角度估計(jì)分別為 51° 和 118°。e) PAG 共吸附前后 2-PACz 的自組裝示意圖。f) PAG 共吸附前后 2-PACz 的示意圖。
圖 7. a) 目標(biāo)鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)的器件結(jié)構(gòu)。b) 示意圖展示了鈣鈦礦薄膜在 ITO/MeO-2PACz 和 ITO/MeO-2PACz/PFN-Br 基底上的表面電勢能帶圖。c) 對照組和 NCL 處理的鈣鈦礦(PVK)薄膜的掠入射廣角 X 射線散射(GIWAXS)圖像。d) PACz 衍生的自組裝單層(SAMs)的分子結(jié)構(gòu)。
圖 8. a) 導(dǎo)電粘合劑(PANI)的相互作用機(jī)制示意圖。b) 展示 PHMG 內(nèi)聚效應(yīng)的示意圖。c) 對照組、掩埋界面調(diào)制(BIM)和雙界面調(diào)制(DIM)鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)的奈奎斯特圖。d) 整體設(shè)計(jì)方法的圖示。F-BHI 封端的鈣鈦礦與 C60 和 Me-2PACz 均形成良好連接。紅色光暈表示 π-π 相互作用;淺黃色虛線代表載流子傳輸路徑。e) 9-YT 中官能團(tuán)與 MeO-2PACz 之間 π-π 相互作用的示意圖。
圖 9. a) 鈣鈦礦薄膜剝離方法示意圖。b) MTIm 滲透晶界并在雙界面形成 1D 鈣鈦礦的示意圖。c) CA-20、參比物和 1D 組分的固態(tài) 1D NMR 光譜(I1H/2??Pb)。在 2??Pb 光譜中,綠色豎條表示對應(yīng) 3D 鈣鈦礦的 2??Pb 峰,藍(lán)色條帶突出顯示 1D 組分。d) 使用配體 4 - 乙烯基芐基銨(VBA)在掩埋界面進(jìn)行 2D 鈣鈦礦混合兩步法處理的示意圖。請注意,UV 處理結(jié)合熱加熱可誘導(dǎo)交聯(lián) (VBA)?PbI?的形成。e) 通過在 2D 鈣鈦礦上沉積 3D 鈣鈦礦形成 2D/3D 雙層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的示意圖。f) 含和不含 2D-R 鈣鈦礦器件的載流子傳輸機(jī)制示意圖。
圖 10. a) PEN/ITO/SP-NiO 和 PEN/ITO/SP-NP-NiO 10(NP-NiO?濃度 = 10 mg?mL?1)的原子力顯微鏡(AFM)圖像。b) 含或不含 NP-NiO 的空穴傳輸層(HTLs)制備工藝示意圖。c) 修飾 NiO?上的 SAM(Me-4PACz)和共 SAMs(Me-4PACz + PC)的示意圖。d) 用于分子動(dòng)力學(xué)模擬的鈣鈦礦 / SAM/NiO/SAM/NiO?異質(zhì)結(jié)模型圖示。e) 含 NA-Me 混合表面層(HSL)的冠軍倒置 PSC 在正向和反向掃描時(shí)的 J–V 曲線。
圖 11. a) 4PACz、P-4PACz 和 4PABCz 多層結(jié)構(gòu)及其提出的空穴傳輸機(jī)制示意圖。b) E-CbzBT 的分子結(jié)構(gòu)。c) PTZ-PA 和 2Br-PTZ-PA 的分子間距離計(jì)算(鍵長單位為埃)d) 具有不同取代基的 SAM 分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)。e) 4PADCB 和 4PBAI 的球棍模型。f) ITO / 共 SAMs 薄膜的制備示意圖。03
論文信息
論文標(biāo)題:Buried Interface Engineering: a Key to Unlocking the Potential of Self‐Assembled Monolayer (SAM)‐Based Inverted Perovskite Solar Cells
發(fā)表期刊:《Small》
發(fā)表時(shí)間:2025年6月20日
作者:Ruida Xu, Chengji Wang, Zhiyuan Zhang, Jing Li, YuLin Wei, Kai Wang, Mingjia Xiao
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https://doi.org/10.1002/smll.202503114
