項目名稱：（略）
（略）AHU-XNJJ（略）
公告開始日期（略）:29:42
公告截止日期（略）:00:00
采購單位：（略）
付款方式：（略）
聯(lián)系人：（略）
聯(lián)系電話：（略）
簽約時間要求None
到貨時間要求None
預(yù)算總價￥44,000.00
收貨地址：（略）
供應(yīng)商資質(zhì)要求None
采購商品6英寸氮化鎵芯片與器件
采購數(shù)量2
計量單位：（略）
所屬分類None
品牌None
（略）None
預(yù)算單價￥22,000.00
技術(shù)參數(shù)及配置要求一、技術(shù)參數(shù)：基于p-GaNgate的HEMT（略）實現(xiàn)GaN（略）,，晶圓規(guī)格為：1.可集成具有反向阻斷能力的650VHVD-mode氮化鎵器件,；2.單片實現(xiàn)650VE-modeGaN和650VD-modeGaN器件；3.650VD-modeHEMTFOM小于16ohm*mm,，650VE-modeHEMTFOM小于16ohm*mm,；4.D-mode器件擊穿電壓大于1000V，E-mode器件擊穿電壓大于1000V,；5.E-mode器件的閾值電壓大于+1.1V,，D-mode器件的閾值電壓在-20V左右；6.單片集成電流采樣SenseFET,，采樣比例200~300:1,；7.具備TLM,MISCAP,Smalldevice等測試圖形,。二、此次項目內(nèi)容包括：1.六英寸GaN-on-Si整晶圓2片（實物）,；2.最終提交給工廠的GDS文檔（附件）,。三、其它要求：1.中標(biāo)后1個月內(nèi)返片,。四,、質(zhì)疑與答復(fù)：供應(yīng)商如對該項目采購需求和技術(shù)參數(shù)有質(zhì)疑，須按《安徽大學(xué)非政府采購項目質(zhì)疑和投訴管理暫行辦法》有關(guān)規(guī)定和質(zhì)疑函格式要求（（略）站查詢下載）,，在網(wǎng)上競價截標(biāo)前提交書面質(zhì)疑函,，書面質(zhì)疑函掃描件發(fā)至郵箱：（略）
（略）中標(biāo)后送貨上門，負(fù)責(zé)安裝調(diào)試,；本項目要求供應(yīng)商具有本地化服務(wù)能力,，本地化服務(wù)的能力是指具有以下條件之一：1）在本地注冊成立的；2）在本地具有分支機構(gòu)（（略）,、辦事處,、售后服務(wù)機構(gòu)等），具有固定的辦公場所及人員,。備注：“本地”系指：（略）;