第二十二屆中國(guó)國(guó)際科學(xué)儀器
及實(shí)驗(yàn)室裝備展覽會(huì)
CISILE2025
2025年3月31日-4月2日
北京·（略）(順義館)
（（略））
CISILE2025
導(dǎo)讀：近日，東南大學(xué)發(fā)布多批政府采購(gòu)意向,，（略）特對(duì)其中的儀器設(shè)備品目進(jìn)行梳理,，統(tǒng)計(jì)出37項(xiàng)儀器設(shè)備采購(gòu)意向，預(yù)算總額達(dá)1.76億元,。
近日,，東南大學(xué)發(fā)布37項(xiàng)儀器設(shè)備采購(gòu)意向，預(yù)算總額達(dá)1.76億元,，（略）,、高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、IVIS（略）,、核素藥物自動(dòng)標(biāo)記儀等,，預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間為2024年11月~2025年2月。
東南大學(xué)2024年11月~2025年2月儀器設(shè)備
采購(gòu)意向匯總表
采購(gòu)項(xiàng)目需求概況預(yù)算金額/萬(wàn)元采購(gòu)時(shí)間
（略）（略）,，1臺(tái),。（略）年11月
（略）工藝設(shè)備配套項(xiàng)目采購(gòu)需完成磁控濺射PVD、HMDS（略）,、低氣壓氣相沉積LPCVD,、原子層沉積ALD、（略）,、反應(yīng)離子束刻蝕ICP-RIE,、等離子體干法去膠機(jī)、IBE刻蝕機(jī),、（略）,、俄歇光電子能譜儀、Flip-chip倒裝焊,、二次離子質(zhì)譜儀,、X（略）、尾氣處理設(shè)備等設(shè)備水,、電,、氣、排風(fēng)等二次配方案設(shè)計(jì)及施工,；（略）及二層氮?dú)庑略觯?span id="oseimcgwi" class="open_quick_reg">（略）新增,；A08,、A18房間彩鋼板墻體拆除及恢復(fù)、一層西北側(cè)土建墻體拆除恢復(fù)及鋼制防火門(mén)安裝,、二層板換機(jī)組進(jìn)水端替換以及A03,、A13（略）改造及設(shè)備入場(chǎng)準(zhǔn)備等。（略）年11月
高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,，1臺(tái),。（略）年11月
（略）3D（略）由IMAGE1CONNECT控制主機(jī)模塊、IMAGE1D3-LINK模塊,、電源線和腳踏開(kāi)關(guān)組成,。（略）年12月
IVIS（略）CCD類型：背部薄化,背照射,科學(xué)一級(jí)CCD芯片CCD工作溫度：電制冷方式：（略）
核素藥物自動(dòng)標(biāo)記儀試劑類型：（略）反應(yīng)管：2套，可獨(dú)立加熱和冷卻,，反應(yīng)管溫度控制范圍最高至220℃三位執(zhí)行旋轉(zhuǎn)閥：>30個(gè),，任意方向旋轉(zhuǎn),角度定位HPLC系統(tǒng)：內(nèi)置，帶紫外檢測(cè)器及放射性檢測(cè)器,，可在一次放射性合成中利用HPLC系統(tǒng)進(jìn)行多次分離,，合成結(jié)束自動(dòng)沖洗合成FDG：1套試劑盒可生產(chǎn)4批次，可實(shí)現(xiàn)連續(xù)多批次生產(chǎn),、合成時(shí)間≤25分鐘FDG：合成效率≥70%(未校正),，殘余輻射<0.5%，放化純≥98%含自動(dòng)清洗,、自動(dòng)檢測(cè)功能可合成18F,、11C、68Ga,、64Cu,、Lu177標(biāo)記多種示蹤劑F18-FDOPA：產(chǎn)率≥35%(未校正),殘余輻射<1%,合成時(shí)間≤70分鐘。（略）年12月
大孔徑CT1.滑環(huán)類型：低壓滑環(huán),；2.冷卻方式：（略）
ForcedimensionSigma7主手對(duì)左右手,，force:translation20.0N,rotation400mNm,（略）<0.0015mm,rotation0.013deg,（略）年12月
（略）1、總體參數(shù)1.1通道數(shù)量：135個(gè)1.2質(zhì)譜分辨率（MassResolution）＞4001.3成像模式下的儀器響應(yīng)：Lu175信號(hào)>500counts/shot1.4抗體標(biāo)簽數(shù)量：提供40多種商業(yè)化標(biāo)簽,。1.5儀器校準(zhǔn)方法：利用校準(zhǔn)玻片(tuningslide)信號(hào)對(duì)各個(gè)參數(shù)進(jìn)行自動(dòng)校準(zhǔn)1.6同時(shí)具備的質(zhì)譜流式懸液檢測(cè)功能,，系統(tǒng)可以在成像模式和懸液檢測(cè)模式之間切換2、（略）2.1使用高純氬氣做為組成氣體（makeupgas）,流速約為0.8~1.0L/min2.2使用高純氦氣和氫氣充滿剝蝕小室（AblationChamber）流速約為0.14~0.30L/min;2.3樣本兼容性：兼容石蠟包埋組織切片的制作方法（FFPE）,，冰凍切片,、甩片、爬片等不同形式的樣本,；支持切片厚度：≤7μm2.4內(nèi)置光學(xué)顯微鏡,，可以對(duì)大范圍的視野進(jìn)行光學(xué)掃描成像，并自動(dòng)將掃描的結(jié)果拼接。（略）年12月
AI（略）（介入與影像AI（略））GPU多模態(tài)數(shù)據(jù)智能推理集群(配置≥2顆16核以上處理器,，2GB以上緩存,，配置≥512TBDDR4內(nèi)存，≥24個(gè)DDR4內(nèi)存插槽,，最大支持3TB內(nèi)存,，≥2塊960GBSSD硬盤(pán)，≥2（略）卡（含SFP+模塊),，≥2塊GPU專用卡,。配套：智能化影像教學(xué)應(yīng)用模型，1）（略）,，（略）臨床影像病例進(jìn)行清洗篩選出所需要的病例影像資源,，為專家/醫(yī)生/學(xué)生提供影像素材。2）（略）,、（略）等提供獲取：（略）
DRIE（略）購(gòu)置1套,。實(shí)現(xiàn)8寸及以下晶圓的深硅刻蝕和介質(zhì)刻蝕,，其中深硅刻蝕最大刻蝕速度不小于1微米/分鐘，最大深寬比不小于10:1,，最小扇貝粗糙度小于100nm,。（略）年12月
高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，1臺(tái),。（略）年11月
（略）（略）,，1臺(tái)。（略）年12月
（略）（略）（略）,。（略）年12月
環(huán)境模擬實(shí)驗(yàn)裝置艙體及配套設(shè)施（1）采購(gòu)標(biāo)的名稱：（略）
光學(xué)顯微鏡（3臺(tái)）1.實(shí)現(xiàn)反射光和透射光下多種觀察方式：（略）
原子層沉積鍍膜機(jī)1.8寸基片,，沉積300循環(huán)氧化錫，以晶圓上至少9個(gè)均勻分散點(diǎn)進(jìn)行膜厚測(cè)試,，膜厚非均勻性≤±2%2.300℃加熱,溫度控制精度±2℃（略）（略）（4金屬,、1臭氧發(fā)生器、1水）5.（略）,。（略）年2月
掩膜光刻機(jī)1.加工晶圓大?。?英寸到6英寸2.光刻類型：?jiǎn)蚊?雙面3.紫外光波長(zhǎng)：240nm到450nm（UV250UV300UV400）4.光束不均勻性：<±2.5%@8英寸晶圓5.線寬(1.2μm厚光刻膠)：<0.6μm(vacuumcontact，UV250)6.體積重量：1.17m(W)×1.00m(D)×1.86m(H),300kg7.操控：手動(dòng)和全自動(dòng)可切換,。（略）年2月
原子層刻蝕機(jī)1.（略）腔室兼容4/6/8寸晶圓,，工藝反應(yīng)溫度在-20-100℃之間。采用高精度自動(dòng)三軸機(jī)械手臂;2.腔體結(jié)構(gòu)采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體ICP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),，即有布局SourceRF/BiasRF,真空腔室漏率需小于5*10-10Pa.m3/s;3.腔體溫度控制需有分布,，區(qū)分晶圓溫度，腔壁溫度，晶圓溫度需外接溫控Chiller,，（略）間在-20-100℃,溫度精度小于±2℃,腔壁溫度（略）間在20-40℃,溫度控制精度為±1℃;4.氣體供給模塊化,，（略）需大于10路，常規(guī)針對(duì)TSV&ALE的氣體配置,，氣體需要達(dá)到半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)安全,。（略）年2月
磁控濺射沉積鍍膜機(jī)4寸基片，850℃加熱,，5E-8Torr真空度,，均勻性優(yōu)于1.5%。（略）年2月
原子力顯微鏡1.常規(guī)形貌測(cè)試：輕敲模式,，接觸模式,，定量相位成像模式等2.納米電學(xué)測(cè)試：開(kāi)爾文探針顯微鏡（KPFM），靜電力顯微鏡（EFM）,，溫度測(cè)試（SThM）,，導(dǎo)電測(cè)試（CAFM），磁力顯微鏡（MFM）,。3.納米力學(xué)測(cè)試：快速力譜成像模塊,，AM-FM粘彈性成像模式，接觸共振粘彈性模式,，極化轉(zhuǎn)換譜模式,，高次諧波成像模式，損耗因子顯微鏡,，力曲線,，摩擦力測(cè)試。（略）年2月
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜機(jī)1.機(jī)臺(tái)采用正向下抽氣,，Plasma流場(chǎng)相比側(cè)抽機(jī)臺(tái)更均勻,；2.擁有多種材料沉積解決方案，包括SiO2,、SiNx,、α-C、α-Si,、α-SiC,、USG、BPSG,；3.高均勻性Heater,，為薄膜形成化學(xué)鍵提供能量，二級(jí)勻氣設(shè)計(jì),，使得工藝氣體在進(jìn)入腔體時(shí)分布的更均勻,；可以保證均勻性（8英寸極差WiW＜2%,，EE3）和較小的RIrange（＜0.01）；4.高（13.56MHz）低（400kHz）頻Generator設(shè)計(jì),，實(shí)現(xiàn)優(yōu)填充以及寬泛的應(yīng)力調(diào)節(jié)窗口,；可調(diào)Gap通過(guò)工藝參數(shù)可以調(diào)節(jié)熱臺(tái)與勻氣盤(pán)的距離，提供了均勻性調(diào)節(jié)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),，并支持高沉積速率和清洗速率,；5.遠(yuǎn)程離子源清洗，減少腔室內(nèi)部parts損傷,，獲得較優(yōu)的顆粒表現(xiàn)以及較高的清洗效率,。（略）年2月
（略）1.設(shè)備最大工藝片尺寸：8寸晶圓2.典型工藝溫度范圍：400℃~1150℃3.升溫速率：硅襯底10～100℃/sec(可編程)4.降溫速率：硅襯底10～100℃/sec(不可編程)5.溫度控制重復(fù)性：±1℃（在溫度為1150℃,測(cè)量5片）6.溫度測(cè)量計(jì)包括高溫計(jì)和熱電偶的精確度：±1℃（100℃~1150℃)7.溫度控制均勻性：±5℃（8寸硅片，溫度:1150℃),。（略）年2月
HF氣體刻蝕機(jī)1.測(cè)試片：100mm或150mm,、帶10000A或以上厚度氧化硅片刻蝕速率：>100A/min；2.片內(nèi)均勻性：<10%(R/2x)在100A/min刻蝕條件下,；厚度測(cè)量(≥9點(diǎn)),，排除邊緣10mm3.片間重復(fù)性：<10%(R/2x)；做2次熱氧化硅片刻蝕測(cè)試均勻性及重復(fù)性,。（略）年2月
高溫高壓光（略）爐購(gòu)置一套實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)相關(guān)鎳氧化物和量子磁性材料的高質(zhì)量單晶生長(zhǎng),，為非常規(guī)超導(dǎo)機(jī)理和復(fù)雜量子磁性的研究提供材料保障。適用于凝聚態(tài)物理,、化學(xué)、材料,、半導(dǎo)體,、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)的氧化物和金屬間化合物的優(yōu)質(zhì)單晶生長(zhǎng)。（略）年2月
（略）購(gòu)置一套對(duì)拓?fù)涔鈱W(xué)腔耦合的單光子源的動(dòng)量空間色散關(guān)系,、（略）,。實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確,、高效地測(cè)試拓?fù)淝恢型粋€(gè)單光子源的系列參數(shù),，包括拓?fù)浞瞧接箲B(tài)、單光子發(fā)射特性和量子相干特性等,。（略）年2月
（略）購(gòu)置一套采購(gòu)標(biāo)的需實(shí)現(xiàn)的主要功能：金屬薄膜,、氧化物、尤其是量子自旋多層膜及復(fù)雜異質(zhì)結(jié)的制備,；與手套箱真空互聯(lián),，（略），實(shí)現(xiàn)材料磁性與自旋特性的實(shí)時(shí)監(jiān)控,，支持材料性能的優(yōu)化,，保證其純凈度與可靠性；實(shí)現(xiàn)用于存算的低功耗磁性器件和自旋電子器件的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。（略）年2月
60T（略）購(gòu)置一套本次采購(gòu)的60（略）的主要功能是在超強(qiáng)磁場(chǎng)極端條件下測(cè)量物質(zhì)的綜合物性,。極端磁場(chǎng)環(huán)境可以實(shí)現(xiàn)對(duì)物質(zhì)內(nèi)部電子的電荷,、軌道以及自旋的調(diào)控，進(jìn)而在理科多領(lǐng)域促進(jìn)前沿科學(xué)發(fā)展,。（略）年2月
（略）購(gòu)置一套利用高精密3D打印設(shè)備實(shí)現(xiàn)多尺度的微粒生成和微流道制備,；利用高精度PIV系統(tǒng)，探究粒子擴(kuò)散在微流通道與片上的輸運(yùn)特性與流場(chǎng)分布特征,；（略）,，監(jiān)控與采集微流控樣品與電子器件片上熱場(chǎng)的紅外特征。（略）年2月
掃描電子顯微鏡（配有電子束曝光模塊）1.專業(yè)EBL設(shè)備穩(wěn)定性操縱性優(yōu)于SEM+PG的方案,；2.可以加載納米工程測(cè)量&加工附件（如EDX/納米機(jī)械手/EBID等）3.最小線寬<=8nm4.優(yōu)越的SEM成像測(cè)量功能,。（略）年2月
（略）1.特氣柜用于工藝機(jī)臺(tái)提供穩(wěn)定的，高純的特氣輸送,，具有自動(dòng)吹掃和安全檢測(cè)及報(bào)警檢測(cè),。2.控制采用PLC+觸摸屏，程序具有邏輯連鎖功能,，防止人員操作失誤的風(fēng)險(xiǎn),。3.尾氣處理設(shè)備，對(duì)化學(xué)氣相沉積（CVD）,、分子束外延（MBE）和原子層沉積（ALD）等工藝過(guò)程中產(chǎn)生的有毒有害氣體及氣柜鋼瓶更換過(guò)程中管道殘留有毒有害氣體進(jìn)行處理的重要設(shè)備,。（略）具備安全監(jiān)控和自動(dòng)化控制功能，確保實(shí)驗(yàn)過(guò)程中產(chǎn)生的有毒有害尾氣處理達(dá)標(biāo)（略）年2月
電子束蒸發(fā)沉積鍍膜機(jī)4寸基片,，800℃加熱,，5E-8Torr真空度，均勻性優(yōu)于1.5%,，雙電子槍550,。（略）年2月
（略）包含通風(fēng)櫥，勻膠機(jī),，加熱臺(tái),，烘箱等光刻輔助設(shè)備。（略）年2月
反應(yīng)離子刻蝕機(jī)1.硅：刻蝕溫度:室溫,；刻蝕速率≥100nm/min,；氣體組分SF6,CHF3,CF4,O2,Ar，備用2路,；4寸片刻蝕均勻性,，如+/-5%@100nm2.SiO2：刻蝕溫度:室溫；刻蝕速率≥30nm/min,；氣體組分SF6,CHF3,CF4,O2,Ar,，備用2路,；4寸片刻蝕均勻性，如+/-5%@100nm3.金屬：刻蝕溫度:室溫,；刻蝕速率≥30~50nm/min,；氣體組分SF6,CHF3,CF4,O2,Ar，Cl2,，BCl3,；4寸片刻蝕均勻性，如+/-5%@100nm4.三五族：刻蝕溫度:室溫或高溫,；刻蝕速率≥100nm/min,；氣體組分SF6,CHF3,CF4,O2,Ar，Cl2,，BCl3,；4寸片刻蝕均勻性，如+/-5%@100nm,。（略）年2月
（略）1.支持300mm晶圓2.貼裝精度3微米3.（略）（VAS）4.支持各種物料裝載形式((wafer,wafflepack,Gel-Pak?),。（略）年2月
熱蒸發(fā)沉積鍍膜機(jī)4寸基片，850℃加熱,，5E-8Torr真空度,2個(gè)鉬電子舟,。（略）年2月
無(wú)掩膜光刻機(jī)1.空間各方向特征尺寸100nm2.表面粗糙度小于5nm3.最大掃描速度6.25m/s/透鏡放大倍數(shù)24.單次最大打印體積50x50x12mm35.納米級(jí)精度的空間對(duì)齊（xy方向100nm，z方向500nm）,。（略）年2月
來(lái)源:（略）
全球化趨勢(shì)下,，科學(xué)儀器行業(yè)的國(guó)際化合作與競(jìng)爭(zhēng)日益加劇，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存,。為加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng),，助推科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新深度融合，助力發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力,，推動(dòng)科學(xué)儀器行業(yè)實(shí)現(xiàn)更高水平的發(fā)展。第二十二屆中國(guó)國(guó)際科學(xué)儀器及實(shí)驗(yàn)室裝備展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱CISILE2025）定于2025年3月31日-（略）（順義館）舉辦,。本屆科儀展將繼續(xù)匯聚國(guó)內(nèi)外科學(xué)儀器知名企業(yè),，集中展示實(shí)驗(yàn)室儀器、分析儀器,、光學(xué)儀器,、生物技術(shù)與儀器等新產(chǎn)品、新技術(shù),、新成果,，為科儀行業(yè)上下游企業(yè)交流、采購(gòu),、（略）,，為加快培育科儀領(lǐng)域新質(zhì)生產(chǎn)力作出積極貢獻(xiàn)?，F(xiàn)招商全面啟動(dòng)，誠(chéng)邀各相關(guān)單位：（略）
END
CISILE2025中國(guó)科儀展
掃一掃下方二維碼
關(guān)注微信：（略）
2025年3月31日-4月2日
不見(jiàn)不散
（略）.cn
點(diǎn)擊“閱讀原文”報(bào)名參展