單一來源采購(gòu)公示
一,、項(xiàng)目信息
采購(gòu)人：（略）
項(xiàng)目名稱：（略）
擬采購(gòu)的貨物或服務(wù)的說明：包含高阻外延層,，電阻率≥1kOhm*cm,，厚度≥20um,；支持四阱工藝（N阱，P阱,，深N阱,，深P阱）；金屬層數(shù)≥6層,，采用以色列Tower（略）的180nmCMOS工藝,。
擬采購(gòu)的貨物或服務(wù)的預(yù)算金額(元)：290000.00元
采用單一來源采購(gòu)方式：（略）
二、擬定供應(yīng)商信息
名稱：（略）
地址：（略）
三,、公示期限
2024年12月19日至2024年12月25日（公示期限不得少于5個(gè)工作日）
四,、其他補(bǔ)充事宜：
1.（略）（（略）.cn/）發(fā)布。
2.潛在供應(yīng)商如對(duì)公示內(nèi)容有異議,，請(qǐng)?jiān)诠酒趦?nèi)以書面形式（蓋單位：（略）
五,、聯(lián)系方式：（略）
招標(biāo)辦聯(lián)系人：（略）
聯(lián)系方式：（略）
六、附件
專業(yè)人員論證意見（格式見附件）
科研采購(gòu)認(rèn)定表
單一來源采購(gòu)申請(qǐng)表
進(jìn)口產(chǎn)品論證表