摘要：在眾多鋰離子電池負(fù)極材料中,，硅由于其超高的理論容量（4200mA?h?g-1），被認(rèn)為是下一代高能量密度電池最有前途的負(fù)極材料,。然而,，硅基材料在循環(huán)中較大的體積效應(yīng),，限制了其電化學(xué)性能的發(fā)揮,，并極大地阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。研究表明,，硅/碳復(fù)合負(fù)極材料能夠有效緩解硅的體積膨脹,，提升導(dǎo)電性,，從而提高硅基負(fù)極的穩(wěn)定性和電池的循環(huán)壽命。然而,，實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性的批量生產(chǎn)仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn),。由于化學(xué)氣相沉積法（CVD）可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量沉積，且工藝簡(jiǎn)單,，因此在制備硅/碳負(fù)極材料中得到廣泛應(yīng)用。從沉積硅,、沉積碳和沉積硅/碳三個(gè)方面展開綜述了化學(xué)氣相沉積法在鋰離子電池硅/碳負(fù)極中的應(yīng)用,，重點(diǎn)介紹了其設(shè)計(jì)策略和電池性能。最后,，給出了硅基負(fù)極的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景,。
關(guān)鍵詞：硅/碳負(fù)極；化學(xué)氣相沉積法,；鋰離子電池,；硅基負(fù)極；電化學(xué)性能,；硅,；負(fù)極材料
電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)是一種高效、靈活的新型能源儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)換技術(shù),。1991年,，（略）成功將鋰離子電池商業(yè)化。自此之后,，鋰離子電池就成為手機(jī),、電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的主要電源，并在電動(dòng)汽車,、電網(wǎng)儲(chǔ)能等領(lǐng)域迅速發(fā)展,。當(dāng)前，鋰離子電池朝著更高能量密度,、更多使用場(chǎng)景,、更長(zhǎng)循環(huán)壽命、更安全的方向發(fā)展,。因此,，必須開發(fā)高容量電壓正極和高容量低電壓負(fù)極。在眾多負(fù)極材料中,，硅負(fù)極因理論比容量高,、脫鋰電位低、原料易于獲得等優(yōu)點(diǎn)得到了廣泛關(guān)注,，被認(rèn)為是下一代高能量密度電池最有前途的負(fù)極材料,。然而,，硅負(fù)極在鋰化過程中會(huì)出現(xiàn)劇烈的體積膨脹（>300%）。這種巨大的體積變化使得硅顆粒承受巨大的拉伸應(yīng)力,，會(huì)導(dǎo)致硅顆粒的斷裂和粉化,，進(jìn)而導(dǎo)致材料表面固態(tài)電解質(zhì)界面膜的反復(fù)開裂、形成和增厚,，加快了電解液的消耗,，嚴(yán)重降低電池的循環(huán)壽命。為了解決上述問題,，研究者開展了大量工作,，包括硅的納米化、硅碳復(fù)合,、黏結(jié)劑優(yōu)化,、電解液添加劑等。其中,，硅/碳復(fù)合已經(jīng)被證明是最有前途的策略,。
在硅/碳復(fù)合負(fù)極材料中，碳能夠?yàn)楣铇?gòu)建強(qiáng)大的機(jī)械支撐和保護(hù),，減輕體積膨脹引起的機(jī)械應(yīng)力,，同時(shí)提供快速的電子傳輸通道。常見的硅/碳復(fù)合負(fù)極材料制備方法包括機(jī)械球磨法,、噴霧干燥法和化學(xué)氣相沉積法（ChemicalVaporDeposition,，CVD）等。機(jī)械球磨法通過塊體材料與旋轉(zhuǎn)球的碰撞將其粉碎成細(xì)小顆粒,，工藝簡(jiǎn)單,，成本較低，但顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重,。此外,，過度研磨會(huì)破壞石墨的結(jié)晶度和表面，進(jìn)而導(dǎo)致副反應(yīng),。噴霧干燥法則是利用加熱氣體快速干燥液體溶液以制造干粉,，簡(jiǎn)便連續(xù)，可擴(kuò)展,，但這種方法能耗高,，并且對(duì)儀器要求較高。CVD法則是通過加熱或等離子體等能量分解氣態(tài)前驅(qū)體來(lái)生產(chǎn)高純度固體材料,。這種方法對(duì)于設(shè)備要求相對(duì)較低,，工藝簡(jiǎn)單可控，可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量沉積,；同時(shí)可擴(kuò)展性強(qiáng),，易于工業(yè)化生產(chǎn),。利用CVD法制備的硅/碳負(fù)極材料通常具有較高的首次充放電效率和良好的循環(huán)穩(wěn)定性，展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展前景,。因此,，自1995年，WILSON等首次利用CVD法制備了硅/碳負(fù)極材料以來(lái),，CVD法在硅/碳負(fù)極的制備中得到了長(zhǎng)足發(fā)展和廣泛應(yīng)用,。
本文從沉積硅、沉積碳和沉積硅/碳三個(gè)方面展開綜述,，重點(diǎn)介紹各種CVD法制備的硅/碳復(fù)合負(fù)極材料的設(shè)計(jì)策略,，并對(duì)電池性能進(jìn)行比較和分析。最后,，介紹了目前硅基負(fù)極的產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀，并給出了硅基負(fù)極的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景,。
1沉積硅
在CVD法沉積硅的過程中,，硅烷（如SiH4）是常用的硅前驅(qū)體，天然石墨,、人造石墨（ArtificialGraphite,AG）等是常見的碳基底材料,。在這一過程中，碳基底暴露在氣態(tài)硅烷中,，在500～650℃的高溫或等離子體的能量作用下,，硅烷分解，從而將硅沉積到碳材料表面,。其反應(yīng)原理如式（1）所示,。
SiH4→Si+2H2（1）
最早，CVD法被用來(lái)制備一維的硅納米線（SiliconNanowires,SiNWs）,。SiNWs可以適應(yīng)較大的體積變化,，而不會(huì)發(fā)生斷裂，從而提高電極的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和電池的循環(huán)穩(wěn)定性,；SiNWs（略）,，可實(shí)現(xiàn)高效的電荷傳輸，從而提高倍率性能,。進(jìn)硅負(fù)極交流群,，請(qǐng)加微信：（略）
中間相炭微球（MesoCarbonMicrobeads,MCMB）也是一種典型的人造石墨材料，通常具有較高的振實(shí)密度和較好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,。與天然石墨相比,，MCMB具有更快的鋰離子擴(kuò)散速率和倍率性能，但理論比容量較低,，實(shí)際應(yīng)用受限,。因此,，XIE等利用CVD法制備了MCMB/Si復(fù)合材料。研究發(fā)現(xiàn),，可以通過溫度調(diào)控復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu),，進(jìn)而影響其電化學(xué)性能。在500℃下制備的MCMB/Si復(fù)合負(fù)極具有更強(qiáng)的相互作用力,，顯示出更高的可逆容量和更好的循環(huán)穩(wěn)定性,。更進(jìn)一步地，如圖1a所示,，通過CVD法,，不同厚度的非晶硅（AmorphousSilicon,a-Si）納米殼被均勻包覆在MCMB上。通過調(diào)整反應(yīng)時(shí)間,，可以靈活地控制a-Si殼的厚度,。當(dāng)沉積時(shí)間為90min時(shí)，a-Si殼的厚度大約為15nm,，硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為4.7%,。這種新穎的（略）@a-Si復(fù)合負(fù)極材料綜合了微米級(jí)MCMB和納米Si的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出了良好的電化學(xué)性能,。在1.3A?g-1的電流密度下,，（略）@a-Si-90min展現(xiàn)出了384mA?h?g-1的初始比容量和93.8%的高初始庫(kù)倫效率，在循環(huán)200次后,，具有83%的容量保持率,。
除了將硅納米層包覆在石墨表面，還可以通過CVD法將硅嵌入石墨內(nèi)部,。CHOI等將瀝青包覆的硅納米層嵌入石墨,，如圖1(b)所示。碳化的石墨可以提升電子電導(dǎo)率,，改善導(dǎo)電性能,；而瀝青機(jī)械強(qiáng)度高，工藝成本低,，可以緩解硅鋰化時(shí)發(fā)生的嚴(yán)重體積膨脹,，承受體積變化產(chǎn)生的高應(yīng)力，從而減少副反應(yīng),，改善循環(huán)性能,。原位透射電子顯微鏡（TransmissionElectronMicroscopy，TEM）表明,，瀝青包覆的硅納米顆粒（SGCpitch）在電化學(xué)鋰化過程中不會(huì)開裂,，而傳統(tǒng)的乙炔包覆的硅納米粒子則會(huì)出現(xiàn)涂層斷裂的現(xiàn)象。SGCpitch還展現(xiàn)出了更小的電荷轉(zhuǎn)移阻抗（圖1(c)）,。在0.5C電流密度下,，SGCpitch在循環(huán)200圈后,，容量保持率達(dá)81.9%?？偟膩?lái)說,，CVD法沉積硅可以在石墨表面或內(nèi)部均勻沉積納米級(jí)的高純度硅。納米硅具有高鋰離子反應(yīng)活性,，能夠提供高的容量,，而石墨作為緩沖基質(zhì)，可以適應(yīng)硅的體積膨脹,，二者復(fù)合有利于提升硅/碳復(fù)合負(fù)極材料的電化學(xué)穩(wěn)定性,。
2沉積碳
針對(duì)硅的體積膨脹問題，研究者們已經(jīng)做了大量的工作,，比如將硅的尺寸降低到納米尺度來(lái)減輕應(yīng)力/應(yīng)變,，進(jìn)而防止裂紋的發(fā)展，提高硅負(fù)極的穩(wěn)定性,。然而,，納米硅振實(shí)密度低，電池體積能量密度難以滿足需求,。研究表明，將硅與商用的碳材料進(jìn)行復(fù)合能夠減少非活性物質(zhì)（導(dǎo)電劑和黏結(jié)劑）的用量,，提升振實(shí)密度,，有效緩解硅的體積變化。在用CVD法沉積碳的過程中,，常見的碳源包括甲苯,、乙炔、乙醇,、甲烷等,。
已經(jīng)有一系列利用CVD法制備核-殼結(jié)構(gòu)的硅/碳復(fù)合負(fù)極材料。硅作為核,，碳作為殼,，通過調(diào)控核殼的比例可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料性能的優(yōu)化。例如,，XU等以甲苯為碳源,，通過CVD法在800℃下反應(yīng)30min，在介孔硅納米纖維上包覆了碳,。在CVD過程中,，硅晶體進(jìn)一步生長(zhǎng)，導(dǎo)致體積收縮,，部分孔隙體積也被碳涂層占據(jù),，這使得材料的比表面積和總孔隙體積變小,。進(jìn)硅負(fù)極交流群，請(qǐng)加微信：（略）
HAN等利用氧化鋁（Al2O3）輔助的CVD法,，以乙醇為前驅(qū)體,，在相對(duì)較低的溫度（700℃）將超薄石墨碳（GraphiticCarbon，GC）原位生長(zhǎng)在多孔硅上,。作為新型鈍化層,，GC的厚度可被控制到2nm，因此顯示出高度穩(wěn)定的電解質(zhì)電阻和較高的離子,、電子電導(dǎo)率,。此外，在CVD過程中,，Si表面一層被氧化成二氧化硅（SiO2）,，能夠有效緩解Si顆粒在體積膨脹過程中的應(yīng)力，顯著增強(qiáng)了顆粒結(jié)構(gòu)和SEI的穩(wěn)定性,。該復(fù)合負(fù)極在1Ag-1的電流密度下循環(huán)600圈后仍然展示出1024mA?h?g-1的比容量,。此外，HUANG等結(jié)合冷凍干燥和CVD工藝制備了多孔硅-石墨烯-碳（silicon-graphene-carbon,，SGC）復(fù)合材料,。該復(fù)合負(fù)極在0.25C下循環(huán)100圈后仍具有1465mA?h?g-1的比容量和81.3%的容量保持率。
除了上述核-殼結(jié)構(gòu)的硅/碳負(fù)極材料外,，蛋黃殼結(jié)構(gòu)的硅/碳負(fù)極也引起了廣泛關(guān)注,。硅被密封在保形、薄,、自支撐的碳?xì)?nèi),，并通過各種方法在硅顆粒和碳?xì)ぶg留有空隙?？障对试S硅顆粒在不破壞碳?xì)さ那闆r下自由膨脹,，從而構(gòu)建穩(wěn)定的固體電解質(zhì)界面層。與以往報(bào)道的文獻(xiàn)大多采用有毒的氫氟酸選擇性蝕刻SiO2犧牲層不同,，ZHANG等乙炔為碳源,，采用CVD法在（略）@Si顆粒外包覆了不同厚度的碳層，然后用稀鹽酸去除CaCO3犧牲層來(lái)形成空隙（圖2(c)）,。這種方法綠色簡(jiǎn)便,，優(yōu)化的復(fù)合負(fù)極材料在循環(huán)200圈后仍具有1100mA?h?g-1的可逆比容量（圖2(d)）。
此外,，還可以將硅與催化CVD法制備的碳納米管（CarbonNanotubes,，CNTs）或碳納米纖維（CarbonNanofibers，CNFs）進(jìn)行復(fù)合。一方面,，（略）絡(luò),，提升電極反應(yīng)動(dòng)力學(xué)；另一方面,，硅嵌入碳基體內(nèi)部,，實(shí)現(xiàn)了與電解液的完全隔離，CNTs或CNFs也可以抑制硅的開裂,，并保持其完整性,。例如，JIN等采用催化CVD法制備了多孔硅-碳納米纖維（PorousSi-CarbonNanofibers,，pSi-CNF）復(fù)合材料,，直徑為5～40nm的CNFs均勻地包覆在pSi表面，pSi-CNF粒徑在5～20μm,。電化學(xué)性能測(cè)試表明,，優(yōu)化的pSi-CNF在0.2A?g-1的電流密度下循環(huán)100次后，容量保持率為74%,。
3沉積硅/碳
氣相沉積硅/碳方法簡(jiǎn)單,、經(jīng)濟(jì)性好、適合工業(yè)化生產(chǎn),，因而得到了廣泛研究,。具體而言，可以分為包覆式結(jié)構(gòu)和嵌入式結(jié)構(gòu),。早在2010年,，MAGASINSKI等就采用高純SiH4和丙烯（C3H6）為硅源和碳源，利用CVD法,，先在退火炭黑顆粒表面合成硅納米粒子，進(jìn)而在沉積碳的過程中自組裝成大孔球形顆粒（圖3(a)）,。硅納米顆粒的尺寸可以通過CVD（略）中的壓力和溫度調(diào)控,。退火炭黑純度高、成本低,、結(jié)構(gòu)開放,、比表面積高，能夠?yàn)楣璧某练e提供多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn),。這種自下而上的組裝方法過程簡(jiǎn)單,、成本低、適用性廣,。合成的硅/碳復(fù)合材料容量高,、性能穩(wěn)定，進(jìn)硅負(fù)極交流群,，請(qǐng)加微信：（略）
此外,，電極制造通常需要采用壓延工藝改善顆粒間的電接觸,，增加活性物質(zhì)和集流體之間的附著力，并提高能量密度,。但是在壓延過程中,，納米結(jié)構(gòu)往往因無(wú)法承受過高的機(jī)械壓力而破裂，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的失效,。為了解決這個(gè)問題,，如圖3(c)所示，CUI等首先通過微乳液法將硅納米顆粒合成微型硅簇,，然后用CVD法在每個(gè)硅簇的外表面封上一層致密的硅殼,，并通過催化CVD法在硅殼外進(jìn)一步包覆石墨烯。復(fù)合負(fù)極的振實(shí)密度達(dá)到0.79g?cm-3,。壓延后,，其接觸和體積能量密度都得到了改善。尤其是包覆了200nm硅殼的復(fù)合材料,，即使在壓延過程中經(jīng)受100MPa的極高壓力,，也能夠很好地保留其顆粒的結(jié)構(gòu)和形狀。得益于多孔的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和具有良好導(dǎo)電性,、柔韌性的石墨烯籠,，該復(fù)合負(fù)極展現(xiàn)出了優(yōu)異的電化學(xué)穩(wěn)定性，與鈷酸鋰（LiCoO2）正極匹配后,，在1.4mA?cm-2電流密度下循環(huán)100圈后仍保持2.1mA?h?cm-2的面容量（圖3(d)）,。
另一種典型的結(jié)構(gòu)則是嵌入式，即將納米尺度的硅嵌入石墨或其他穩(wěn)定的基質(zhì)中,。例如,，CUI等以SiH4和C2H2為原料，利用CVD法制備了硅納米層嵌入的石墨/碳混合材料（Si-nanolayer-embeddedGraphite/Carbonhybrids,，SGC）,。如圖4(a)所示，在CVD過程中,，氣相SiH4和C2H2很容易吸附并滲透到原始石墨表面及其內(nèi)部孔隙之下,，從而形成均勻的硅和碳包覆層。硅納米層既在石墨顆粒上,，也在其內(nèi)部孔隙下,，這大大提高了能量密度（圖4(b)）。SGC具有92%的高初始庫(kù)倫效率,，在循環(huán)100圈后具有96%的容量保持率,。制備的LiCoO2|SGC全電池能量密度高達(dá)104Wh?l-1，能夠穩(wěn)定循環(huán)100圈。在此基礎(chǔ)上,，KIM等進(jìn)一步設(shè)計(jì)了邊緣活化石墨（Edge-activatedGraphite,，EAG）和硅/邊緣活化石墨（Si/Edge-activatedGraphite，SEAG）復(fù)合材料,。如圖4(c)所示,，在1000℃高溫下，鎳納米粒子沿邊緣平面穿透石墨,，起到了催化劑和活化石墨邊緣的作用,。高分辨率透射電子顯微鏡和循環(huán)伏安法測(cè)試表明，相比于原始石墨,，EAG具有更多的電化學(xué)活性位點(diǎn)和更高的鋰離子傳輸速率,。在隨后的CVD過程中，非晶硅納米層被均勻嵌入EAG中,。得益于新穎的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和改善的動(dòng)力學(xué)性能,，SEAG具有93.8%的高初始庫(kù)倫效率，循環(huán)50圈后容量保持率達(dá)到99.3%,，還展現(xiàn)出了優(yōu)越的倍率性能,。近期，SUNG等將亞納米尺度（<1nm）的硅嵌入基體材料中,，并揭示了CVD過程中C2H4對(duì)于硅生長(zhǎng)的抑制機(jī)制,。密度泛函理論計(jì)算結(jié)果表明，SiH4分解產(chǎn)生的SiH3優(yōu)先與C2H4而非SiH4反應(yīng),，因此C2H4的存在可以抑制硅的持續(xù)成核增長(zhǎng),，起到了硅生長(zhǎng)抑制劑的作用。
4總結(jié)與展望
硅/碳負(fù)極由于結(jié)合了硅基負(fù)極和碳基負(fù)極的優(yōu)點(diǎn),，是目前鋰離子電池負(fù)極材料的研究熱點(diǎn),，并在實(shí)際應(yīng)用方面取得了一定成果。硅/碳負(fù)極已經(jīng)從第一代納米硅/碳,、第二代硅氧（或預(yù)鋰化硅氧）發(fā)展到如今的第三代氣相沉積硅/碳,，有望成為動(dòng)力電池性能提升的新機(jī)遇、新賽道,。2023年也被稱為硅/碳負(fù)極的元年。目前,，第三代氣相沉積硅/碳通常采用生物質(zhì)類,、石油原料、高分子等作為碳基體,，經(jīng)物理活化,、化學(xué)活化等方法賦予碳基體良好的多孔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而通過CVD法沉積硅以制備硅/碳負(fù)極材料。CVD法制備硅/碳復(fù)合負(fù)極材料由于具有生產(chǎn)流程短,、簡(jiǎn)單易操作,、理論成本低等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是大規(guī)模制備高容量硅/碳負(fù)極最有應(yīng)用前景的方法,，因而得到了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注,。中國(guó)已有70余家企業(yè)開展了氣相沉積硅/碳的產(chǎn)業(yè)化研究，但美國(guó)的Group（略）在氣相沉積硅/碳產(chǎn)業(yè)化方面布局較早,，掌握較多專利,。
然而，CVD法制備硅/碳負(fù)極材料仍然存在一些問題,。就沉積硅而言,，在硅烷分解過程中，硅原子的生長(zhǎng)機(jī)制可以分為同質(zhì)形核和異質(zhì)形核,，而同質(zhì)形核的硅會(huì)導(dǎo)致形成一定比例的游離的硅納米顆粒,，進(jìn)而導(dǎo)致電化學(xué)性能的惡化。如何促進(jìn)硅原子的異質(zhì)形核,、抑制硅原子的同質(zhì)形核是亟需解決的問題,。就沉積碳而言，必須保證碳包覆的完整性才能阻止硅和電解液的持續(xù)反應(yīng),，這一點(diǎn)經(jīng)常在文獻(xiàn)中被忽略,。就沉積硅/碳而言，現(xiàn)有材料的比容量依舊較低,，還有很大的提升空間,。
目前CVD法沉積硅/碳材料技術(shù)在在規(guī)模化拓展方面也面臨一些問題,。在多孔碳的選型方面,，不同應(yīng)用場(chǎng)景下，對(duì)碳骨架的孔徑,、孔容和孔隙率等要求截然不同,，但是目前常用的實(shí)驗(yàn)方法不夠高效、測(cè)試方法不夠準(zhǔn)確,、選型標(biāo)準(zhǔn)不夠明確,。未來(lái)可以借助理論計(jì)算、AI等手段優(yōu)化碳骨架的選型和制備工藝,。在原料方面,，硅烷本身極度危險(xiǎn)，氣相沉積硅/碳對(duì)于硅烷的純度要求極高,，這也導(dǎo)致成本的增加,。未來(lái)需要進(jìn)一步優(yōu)化高純硅烷的制備方法,，從而降低成本。在沉積設(shè)備方面,，現(xiàn)有的設(shè)備以回轉(zhuǎn)窯和沸騰爐為主,，但回轉(zhuǎn)窯沉積效率較低，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低下,；沸騰需要滿足高度密閉和高氣壓條件,。未來(lái)還需要開發(fā)定制化的生產(chǎn)設(shè)備，以滿足行業(yè)需要,。
總的來(lái)說,，未來(lái)氣相沉積硅/碳需要進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，并對(duì)產(chǎn)品的電化學(xué)性能進(jìn)行高效準(zhǔn)確評(píng)估,。隨著CVD法制造工藝的成熟和相關(guān)技術(shù)的創(chuàng)新,，以及硅/碳負(fù)極（略）場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，CVD法規(guī)?；苽涔?碳負(fù)極材料的成本將逐漸下降,，未來(lái)CVD法沉積硅/碳復(fù)合負(fù)極材料會(huì)得到更大規(guī)模的實(shí)際應(yīng)用。
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供采信息|山東永達(dá)環(huán)?？萍贾饕峁┴?fù)極材料石墨純化廢酸的回收提純工藝及設(shè)備
供采信息|（略）專業(yè)生產(chǎn)碳化硅坩堝、石墨化坩堝,、石墨匣缽
供采信息|濰坊德爾生產(chǎn)氣流粉碎機(jī)(氣流磨),、氣流分級(jí)機(jī)、超細(xì)粉碎機(jī),、立式機(jī)械磨,、球化機(jī)、整形機(jī)
供采信息|專業(yè)生產(chǎn)石墨電極,，石墨匣缽,，石墨增碳劑，柱狀增碳劑,，再生坩堝
供采信息|（略）專業(yè)生產(chǎn)石墨烘干機(jī),，可膨脹石墨烘干機(jī)
供采信息|生產(chǎn)生焦粉，煅后石油焦粉,，石墨增碳劑,，石墨化冶金焦
供采信息|河南銳能機(jī)械設(shè)備生產(chǎn)負(fù)極材料包覆造粒反應(yīng)釜自動(dòng)化配料、加卸料輸送生產(chǎn)線
供采信息|（略）（略）,、煙氣收集與處理,、廢氣治理總承包工程
供采信息|（略）生產(chǎn)氣流粉碎機(jī)(氣流磨)、氣流分級(jí)機(jī),、超細(xì)粉碎機(jī),、立式機(jī)械磨、臥式機(jī)械磨,、球化機(jī),、整形機(jī)
供采信息|（略），主要經(jīng)營(yíng)中溫瀝青,，改制瀝青
供采信息|（略）專業(yè)生產(chǎn)低硫低氮石墨增碳劑,，高純石墨炭材
供采信息|林機(jī)集團(tuán)（吉林）（略）建設(shè)有年產(chǎn)10萬(wàn)套石墨坩堝工業(yè)園
供采信息|（略）生產(chǎn)光伏用單多晶熱場(chǎng)等靜壓石墨件及有色金屬用石墨模具、石墨坩堝
供采信息|（略）專業(yè)生產(chǎn)天然鱗片高碳石墨,、膨脹石墨,，球形石墨
供采信息|（略）是一家集環(huán)保產(chǎn)品研發(fā)、制造及安裝服務(wù)和環(huán)境規(guī)劃于一體的高新技術(shù)企業(yè)
供采信息|（略）生產(chǎn)銷售石墨匣缽,，石墨坩堝等
供采信息|新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)第五（略）招商政策優(yōu)惠
供采信息|晟世泵業(yè)（山東）（略）專業(yè)的污泥處理集成套裝備研發(fā),、設(shè)計(jì)、銷售和服務(wù)于一體的綜合服務(wù)商,，為過濾技術(shù)提供全套方案
供采信息|（略）專業(yè)生產(chǎn)噸包袋
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