為便于供應(yīng)商及時了解政府采購信息,，根據(jù)《財政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔2020〕10號）等有關(guān)規(guī)定,，現(xiàn)將閩都創(chuàng)新實驗室2024年度（第13批）采購意向公開如下：
（略）采購項目名稱：（略）
1激光切割機(jī)采購項目采購內(nèi)容：激光切割機(jī)
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：用于陶瓷、玻璃,、晶體等硬脆材料的精密加工
需滿足的要求：掃描振鏡,；CCD（略）；提供加工工藝；駐點服務(wù)
90.（略）年01月無
2真空燒結(jié)爐采購項目采購內(nèi)容：真空燒結(jié)爐
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：用于熒光陶瓷,、金屬等材料的高溫?zé)坪蜔崽幚?
需滿足的要求：（略）,；料車；樣品匣
150.（略）年01月無
3真空鎢絲爐采購項目采購內(nèi)容：真空鎢絲爐
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：用于熒光陶瓷等材料的真空高溫?zé)?
需滿足的要求：溫場均勻,，真空度高
80.（略）年01月無
（略）（略）采購項目采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：利用熒光增強(qiáng)效應(yīng),，通過先進(jìn)的二維成像技術(shù)來提高對光電材料的表征和性能分析。提供高分辨率,、實時動態(tài)監(jiān)測,，（略），增強(qiáng)對材料表面結(jié)構(gòu)和成分的解析能力,，通過成像檢測材料中的電子躍遷和光激發(fā)行為,，為能帶來精確的數(shù)據(jù)。具備高靈敏度的生物發(fā)光,、熒光二維成像功能以及X光成像功能,；具備高品質(zhì)濾光片及光譜分離算法，可實現(xiàn)自發(fā)熒光扣除及多探針成像,；能夠?qū)崿F(xiàn)生物發(fā)光,、熒光及X光的影像融合。
需滿足的要求：1采用頂置式背照射,、背部薄化科學(xué)一級CCD,，工作溫度≤絕對-90℃；2CCD相機(jī)：芯片尺寸≥（略）,，有效像素數(shù)量≥1000x1000,，量子效率≥80%（500-700nm）；3采用定焦鏡頭,，鏡頭直徑≥50mm,；4系統(tǒng)最小檢測光子數(shù)≤120光子/秒/弧度/平方厘米；5熒光光源類型：采用全光譜近紅外增強(qiáng)型金屬鹵素?zé)簦?熒光光源覆蓋波段：
300.（略）年01月無
5閩都創(chuàng)新實驗室功率器件綜合曲線追蹤測試儀,、（略）采購項目采購內(nèi)容：功率器件綜合曲線追蹤測試儀
采購數(shù)量：1臺
采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：1.（略）需要達(dá)到3000V的最大電壓,、500A的最大電流、漏電流在3000V下達(dá)到亞pA級別,，并且擁有高溫200℃的環(huán)境控制能力,，并具備可以擴(kuò)展高功率動態(tài)參數(shù)的測試和提取能力，對GaN等功率半導(dǎo)體芯有著及關(guān)重要的作用,。2.測試功能：測試功率器件如MOSFET的IV參數(shù),，如Vth，Rdson,，BVdss等,；測試功率器件電容參數(shù),；測試柵極電荷Qg參數(shù)；等
需滿足的要求：1,、支持高壓3KV和脈沖500A；2,、探針臺適用晶圓尺寸≤200mm,；3、支持4.5英寸探卡夾具,；4,、卡盤采用密空真空吸附孔；5,、（略）,、4寸、6寸及8寸真空吸附,；6,、集成暗箱，包括安全互鎖功能,，搭配4點獨立腳撐隔振氣囊,；7、軟件具有功率器件分析儀的通信接口驅(qū)動,；8,、軟件與探針臺通信接口模塊；9,、軟件可傳遞晶圓芯片的Die坐標(biāo),；等
490.（略）年01月無
6光電材料XRD（略）采購項目采購內(nèi)容：光電材料XRD（略）
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：高性能的光電材料XRD（略），采用最高強(qiáng)度X射線源,、可以實現(xiàn)氛圍,、溫度、壓力等多種外界刺激的協(xié)同控制的原位附件,，通過原位中低溫附件（液氮到400℃范圍,，支持真空、惰性氣體,、空氣,、濕度等氣氛）、原位高溫高壓附件（實現(xiàn)500℃以上高溫,、10bar以上高壓,、支持真空、惰性氣體,、空氣等氣氛）,、原位電池附件等實現(xiàn)實時監(jiān)測鈣鈦礦等光電材料在不同溫度,、濕度、氣氛,、壓力等原位條件下的晶相變化等,，實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)采集
需滿足的要求：基本配置：9kWX射線光源、高精度θ-θ測角儀,、（略）,、Z軸自動可調(diào)樣品臺、多維陣列高能探測器,、原位中低溫附件（液氮到400℃范圍,，支持真空、惰性氣體,、空氣,、濕度等氣氛）、原位高溫高壓附件（實現(xiàn)500℃以上高溫,、10bar以上高壓,、支持真空、惰性氣體,、空氣等氣氛）,、（略）、智能儀器控制和普通粉末分析軟件等,。
300.（略）年01月無
7（略）采購項目采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：1,、適用于SI/SIC/GaN芯片的各種封裝類型的二極管、三極管,、MOSFET,、IGBT等半導(dǎo)體器件進(jìn)行高溫柵偏試驗、（略）,、（略）（單管）,、高加速應(yīng)力測試（單管）。2,、（略）及試驗方法滿足MIL-STD-750Method1037,、AECQ101及AQG324等相關(guān)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。
需滿足的要求：1.可實時監(jiān)控每工位漏電流并描繪出漏電曲線,。2.插板骨架：材料：304不銹鋼板材料,，高溫下長時間工作不生銹3.（略）-箱體規(guī)格：試驗箱的內(nèi)部尺寸為：60*60*60cm，容積為：216L,，含16個高溫老化板插槽,。4.（略）-箱體規(guī)格：試驗箱的內(nèi)部尺寸為：60*60*60cm，容積為：216L,，含16個高溫老化板插槽,。5.（略）-箱體規(guī)格：試驗箱的內(nèi)部尺寸為
210.（略）年01月無
8X射線三維成像儀采購項目采購內(nèi)容：X射線三維成像儀
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：能夠?qū)崿F(xiàn)投影數(shù)據(jù)采集與三維圖像重建,；可以進(jìn)行三維數(shù)據(jù)渲染；成像放大比可調(diào),。
需滿足的要求：整機(jī)質(zhì)保一年,；提供至少3天的設(shè)備操作培訓(xùn)；合同簽訂后60天內(nèi)到貨
98.（略）年01月無
9（略）及其AI-SAAS（略）采購項目采購內(nèi)容：（略）及其AI-SAAS（略）
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：1.檢測晶圓切割前,、后表面崩邊,、缺角、裂痕,、臟污、劃痕等缺陷,。2.具備工程模式及一般檢測模式,，在工程模式下可自由設(shè)置待檢產(chǎn)品所需的檢測范圍、速度,、精度（分辨率）,。3.具備Mean、STD,、CP,、CPK及趨勢、分布,、大小,、形態(tài)等數(shù)據(jù)分析功能。4.兼容至少3種不同的晶圓種類（如圖像傳感器,、微控制器,、電子標(biāo)簽、功率放大器等）,。
需滿足的要求：1.具備持續(xù)錄入不良模型,，進(jìn)行缺陷標(biāo)定、教導(dǎo)等深度學(xué)習(xí)功能,。2.可隨時讀取歷史檢測資料,，并上傳至指定位置。3.人機(jī)界面顯示實時光學(xué)圖像采集,、運動控制模塊,、缺陷判讀分析和AI大數(shù)據(jù)處理等多個核心模組。4.顯示并實時記錄開始測試,、停機(jī),、（略）等設(shè)備運行日志，運行日志可保存三個月以上,。
155.（略）年01月無
10空間多維度探針/（略）采購項目采購內(nèi)容：空間多維度探針/（略）
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：1.空間定位,，可用于多維度空間中虛擬坐標(biāo)值的位置確定,。2.逆向功能，可用于物品的三維數(shù)據(jù)采用,，以便后期逆向開發(fā),，造型設(shè)計。3.檢測功能,，可用于檢測產(chǎn)品與圖紙或者三維數(shù)模CAD之間理論值的偏差,。4.通過接觸式測頭或者藍(lán)光掃描測頭：可以滿足更多測量需求，例如鈑金件,；模具,；現(xiàn)場測量；尺寸測量,；在機(jī)檢驗,；維護(hù)修理；工裝夾具,；調(diào)裝檢測,；管線測量；虛擬裝配,；復(fù)材檢測,；在線測量；數(shù)字化等,。
需滿足的要求：1.工作溫度：5-45℃,。2.檢測空間尺寸：不小于3米×3米
80.（略）年01月無
11（略）（MBE）、（略）,、晶圓鍵合機(jī),、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）、兆聲清洗機(jī)采購項目采購內(nèi)容：（略）（MBE）
采購數(shù)量：1臺
采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1臺
采購內(nèi)容：晶圓鍵合機(jī)
采購數(shù)量：1臺
采購內(nèi)容：化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）
采購數(shù)量：1臺
采購內(nèi)容：兆聲清洗機(jī)
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：開展厚度從單個原子層到幾個原子層的材料制備,，實現(xiàn)大面積InP,、GaAs材料的均勻可控生長及其器件膜堆的制備等。其余詳見招標(biāo)文件,。
需滿足的要求：生長室真空度優(yōu)于8×10-11mbar,，腔體尺寸，外延片尺寸：2/3英寸,；外延實時監(jiān)控RHEED：最高能量不低于15keV,；襯底最高生長溫度：不低于800℃；電子束蒸發(fā)源適配Ga,，In等三族元素等,，其余詳見招標(biāo)文件。
2,585.（略）年01月無
12（略）采購項目采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1臺
主要功能或目標(biāo)：對半導(dǎo)體芯片及元器件進(jìn)行無應(yīng)力的氬離子切割或研磨拋光,，相比傳統(tǒng)機(jī)械拋光,，獲得的材料信息更加真實,，解決半導(dǎo)體芯片在微納米尺度的制樣難題，從而進(jìn)行材料可靠性分析,。
需滿足的要求：電源：220V/50Hz,，900W；氣體：5N高純氬氣,，0.18MPa
60.（略）年01月無
13（略）采購項目采購內(nèi)容：（略）
采購數(shù)量：1套
主要功能或目標(biāo)：在類真空情況下,，測試空間激光放大模組的主要功能指標(biāo)。
需滿足的要求：真空：10^-5真空度熱測試：溫場分布/溫度點精度+/-0.5°C激光參數(shù)測試：激光線寬100KHz,、功率+/-0.（略）@2W,、穩(wěn)定性+/-0.1dB、頻譜噪聲6GHz誤碼測試：OOK,1GHz,10GHz,25GH其它：輻照測試,、振動測試(待定)
75.（略）年01月無
本次公開的采購意向是本單位：（略）
閩都創(chuàng)新實驗室
2024年12月11日