（略）采購(gòu)
更正公告
一,、項(xiàng)目基本情況
（略）：GXTC-A1-（略）
原公告的采購(gòu)項(xiàng)目名稱：（略）
首次公告日期：2024年12月06日
二、更正信息
更正事項(xiàng)：采購(gòu)文件
更正內(nèi)容：
1,、原招標(biāo)文件“第一章投標(biāo)邀請(qǐng)”附件中“主要技術(shù)要求”：
附件：
（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備1.#最大峰值刻蝕功率≥2000w,。
2.平均刻蝕功率≥100w。
3.#平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于±0.2μm,。（略）,。4.
5.刻蝕速度范圍包括50~1000μm/min。
6.光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍,。
7.精密測(cè)量模塊定位精度：不高于±0.2μm,。直線度：不高于±0.4μm。8.
9.#測(cè)量行程≥200mm,。
10.輸出頻率包括0~40Mhz,。
11.#輸出通道≥2,。
12.上升/下降時(shí)間≤9ns。
13.測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm,。
14.相位分辨率≤2nm,。
15.具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
16.支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開(kāi)發(fā),。
17.★最大刻蝕深度≥20mm。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備1.晶圓大?。核挠⒋?。
2.工藝腔內(nèi)徑≤300mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯,，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃,。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W,，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能,。6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行,，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況
下連續(xù)運(yùn)行。
7.#（略）輸出,，調(diào)節(jié)等離子體分布,。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗,，使用立體螺旋功率耦合天線,，支持遠(yuǎn)
等離子體技術(shù)。
9.#載片臺(tái)直徑不小于160mm,。
10.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W,，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能,。11.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行,，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下
連續(xù)運(yùn)行。
12.可控制基片表面溫度,，控溫范圍為-20℃~10℃,。
13.（略）分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上,。
15.（略）：Ar,、O2,、CHF3,、CF4,、SF6、C4F8,。
16.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類(lèi)與氣體
量程,。
17.★最大刻蝕深度大于300um,。
現(xiàn)更正為：
附件：
（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備1.#最大峰值刻蝕功率≥2000w，平均刻蝕功率≥100w,。
2.精密測(cè)量模塊定位精度不高于±0.2μm,，直線度不高于±0.4μm。
3.#平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于±0.2μm,。
（略）,。4.
5.刻蝕速度范圍包括50~1000μm/min。
6.光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍,。
7.#測(cè)量行程≥200mm,。
#輸出通道≥2，輸出頻率包括0~40Mhz,。8.
9.上升/下降時(shí)間≤9ns,。
10.測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm，相位分辨率≤2nm,。
11.具有高速Hyperwire光纖通訊接口,。
12.支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開(kāi)發(fā)。
13.★最大刻蝕深度≥20mm,。
14.相位與強(qiáng)度采樣≥182×136,。
15.相位測(cè)試空間分辨率≤27.6μm。
16.樣品托盤(pán)最大直徑≥6英寸,，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片,。17.不同尺寸樣品之間需要可以自動(dòng)切換，（略）需要可以全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備隔離槽刻蝕機(jī)臺(tái)模塊：1.晶圓大?。核挠⒋纭?
2.工藝腔內(nèi)徑≤300mm,，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃,。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W，支持預(yù)置匹配點(diǎn),，支持脈沖功能,。6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況
下連續(xù)運(yùn)行,。
7.#（略）輸出,，調(diào)節(jié)等離子體分布,。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗,，使用立體螺旋功率耦合天線,，支持遠(yuǎn)等
離子體技術(shù)。
9.#載片臺(tái)直徑不小于160mm,。
10.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W,，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能,。11.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行,，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下
連續(xù)運(yùn)行。
12.可控制基片表面溫度,，控溫范圍為-20℃~10℃。
13.（略）分子泵抽速≥1000L/s,。
14.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上,。
15.#（略）：Ar、O2,、CHF3,、CF4、SF6,、C4F8,。
16.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類(lèi)與氣體量
程,。
17.★最大刻蝕深度大于300um,。
不大于1000mm。
離子增強(qiáng)刻蝕監(jiān)測(cè)模塊：26.#獨(dú)立DAC電壓輸出通道≥12個(gè),。27.輸出電壓精度≥24位,。
28.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)≥120dB。
29.積分時(shí)間常數(shù)范圍包括:1us-500s,。
30.#極限壓強(qiáng)≤8×10-5Pa,，31.水氧指標(biāo)：＜1ppm32.循環(huán)能力：集成風(fēng)機(jī)流量≥80m3/h33.露點(diǎn)分析儀測(cè)量范圍包括0～500ppm
2、原招標(biāo)文件“第三章資格審查,、評(píng)標(biāo)辦法和標(biāo)準(zhǔn)”中：
附表四技術(shù)評(píng)審因素及分值分配表
評(píng)分項(xiàng)目分值評(píng)分說(shuō)明評(píng)定分值
技術(shù)（57分）技術(shù)參數(shù)和性能指標(biāo)40分以“第五章采購(gòu)需求中二,、主要技術(shù)指標(biāo)”中的具體指標(biāo)作為評(píng)審依據(jù)，對(duì)技術(shù)參數(shù)和性能進(jìn)行打分,。其中包含2個(gè)★號(hào)指標(biāo),，10個(gè)#號(hào)指標(biāo)，40個(gè)無(wú)標(biāo)識(shí)指標(biāo),。1）★號(hào)指標(biāo)為實(shí)質(zhì)性指標(biāo),，每有一項(xiàng)★號(hào)指標(biāo)不滿足則否決0-40分
其投標(biāo),；2）#號(hào)指標(biāo)為重要指標(biāo)，每有一項(xiàng)#號(hào)指標(biāo)滿足要求的得2分,，不滿足或負(fù)偏離不得分,，未按照要求提供相關(guān)有效證明文件（對(duì)應(yīng)的配件進(jìn)貨單并加蓋投標(biāo)方公章）附件的也不得分；3）無(wú)標(biāo)識(shí)的為一般指標(biāo),，每有一項(xiàng)一般指標(biāo)滿足要求的得0.5分,，不滿足或負(fù)偏離不得分；4）總分40分,，全部滿足得40分,，最低0分。
現(xiàn)更正為：
附表四技術(shù)評(píng)審因素及分值分配表
評(píng)分項(xiàng)目分值評(píng)分說(shuō)明評(píng)定分值
技術(shù)（57分）技術(shù)參數(shù)和性能指標(biāo)40分以“第五章采購(gòu)需求中二,、主要技術(shù)指標(biāo)”中的具體指標(biāo)作為評(píng)審依據(jù),，對(duì)技術(shù)參數(shù)和性能進(jìn)行打分。其中包含2個(gè)★號(hào)指標(biāo),，14個(gè)#號(hào)指標(biāo),，38個(gè)無(wú)標(biāo)識(shí)指標(biāo)。1）★號(hào)指標(biāo)為實(shí)質(zhì)性指標(biāo),，每有一項(xiàng)★號(hào)指標(biāo)不滿足則否決其投標(biāo),；2）#號(hào)指標(biāo)為重要指標(biāo)，每有一項(xiàng)#號(hào)指標(biāo)滿足要求的得1.5分,，不滿足或負(fù)偏離不得分,，未按照要求提供相關(guān)有效證明文件（對(duì)應(yīng)的配件進(jìn)貨單并加蓋投標(biāo)方公章）附件的也不得分；3）無(wú)標(biāo)識(shí)的為一般指標(biāo),，每有一項(xiàng)一般指標(biāo)滿足要求的得0.5分,，不滿足或負(fù)偏離不得分；4）總分40分,，全部滿足得40分,，最低0分。0-40分
3,、原招標(biāo)文件“第五章采購(gòu)需求二,、主要技術(shù)指標(biāo)”.
（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備
#最大峰值刻蝕功率≥2000w。平均刻蝕功率≥100w,。#平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于±0.2μm,。（略）?？涛g速度范圍包括50~1000μm/min,。光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍。精密測(cè)量模塊定位精度：不高于±0.2μm,。直線度：不高于±0.4μm,。#測(cè)量行程≥200mm,。10.輸出頻率包括0~40Mhz。
11.#輸出通道≥2,。
12.上升/下降時(shí)間≤9ns,。
13.測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm。
14.相位分辨率≤2nm,。
15.具有高速Hyperwire光纖通訊接口,。
16.支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開(kāi)發(fā)。
17.★最大刻蝕深度≥20mm,。
18.相位與強(qiáng)度采樣≥182×136,。
19.相位測(cè)試空間分辨率≤27.6μm。
20.樣品托盤(pán)最大直徑≥6英寸,，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片,。21.不同尺寸樣品之間需要可以自動(dòng)切換，（略）需要可以全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,。
22.需要可以通過(guò)工藝軟件對(duì)氣體壓力,、刻蝕功率等工藝參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)控，也可以自動(dòng)控制,。
23.設(shè)備需要配置緊急停止開(kāi)關(guān)，具備完善安全互鎖功能,。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備18.晶圓大?。核挠⒋纭?
19.工藝腔內(nèi)徑≤300mm,，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
20.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
21.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃,。
22.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W，支持預(yù)置匹配點(diǎn),，支持脈沖功能,。23.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況
下連續(xù)運(yùn)行,。
24.#（略）輸出,，調(diào)節(jié)等離子體分布。
25.#采用立體等離子體源,，石英耦合窗,，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠(yuǎn)
等離子體技術(shù),。
26.#載片臺(tái)直徑不小于160mm,。
27.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W,，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能,。28.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行,，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下
連續(xù)運(yùn)行。
29.可控制基片表面溫度,，控溫范圍為-20℃~10℃,。
30.（略）分子泵抽速≥1000L/s。
31.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上,。
32.（略）：Ar,、O2、CHF3,、CF4,、SF6、C4F8,。
33.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量,，MFC支持更改氣體種類(lèi)與氣體量
程。
34.（略）柜,，質(zhì)量流量計(jì)MFC到反應(yīng)腔氣體接入口之間的氣體管道長(zhǎng)度小于15cm,，實(shí)現(xiàn)工藝氣體的快速切換。
35.O2,、SF6,、C4F8三種氣體需要支持連續(xù)刻蝕工藝，也需要支持BOSCH工藝,。36.采用矩形插板閥隔斷工藝腔與傳輸腔,。
37.（略）主機(jī)。
38.控制軟件具有如下功能：用戶等級(jí)與操作權(quán)限管理,；自動(dòng)運(yùn)行與工程維護(hù)界
面模塊,；實(shí)時(shí)顯示機(jī)臺(tái)狀態(tài)；日志管理功能,；動(dòng)作互鎖功能,；工藝菜單編輯
功能；機(jī)臺(tái)異常處理功能,。
39.帶有安全互鎖與急停機(jī)制（EMO）,。
40.★最大刻蝕深度大于300um。
41.深寬比大于6,。
42.整機(jī)尺寸不大于1700mm（長(zhǎng)）×1000mm（寬）×1550mm（高）,，操作面尺寸不大于1000mm。
43.獨(dú)立DAC電壓輸出通道≥12個(gè),。
44.輸出電壓精度≥24位,。
45.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)≥120dB,。
46.積分時(shí)間常數(shù)范圍包括:1us-500s。
現(xiàn)更正為：（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備1.#最大峰值刻蝕功率≥2000w,，平均刻蝕功率≥100w,。
2.精密測(cè)量模塊定位精度不高于±0.2μm，直線度不高于±0.4μm,。3.#平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于±0.2μm,。
4.（略）。
5.刻蝕速度范圍包括50~1000μm/min,。
6.光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍,。
7.#測(cè)量行程≥200mm。
8.#輸出通道≥2,，輸出頻率包括0~40Mhz,。
9.上升/下降時(shí)間≤9ns。
10.測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm,，相位分辨率≤2nm,。
11.具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
12.支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開(kāi)發(fā),。
13.★最大刻蝕深度≥20mm,。
14.相位與強(qiáng)度采樣≥182×136。
15.相位測(cè)試空間分辨率≤27.6μm,。
16.樣品托盤(pán)最大直徑≥6英寸,，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片。17.不同尺寸樣品之間需要可以自動(dòng)切換,，（略）需要可以全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
18.需要可以通過(guò)工藝軟件對(duì)氣體壓力,、刻蝕功率等工藝參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)控,，也可以自動(dòng)控制。
19.設(shè)備需要配置緊急停止開(kāi)關(guān),，具備完善安全互鎖功能,。
20.設(shè)備附帶高精度MFC流量控制，并針對(duì)不同氣體做量程和精度校準(zhǔn),。21.設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)不同氣體的快速切換,。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備隔離槽刻蝕機(jī)臺(tái)模塊：1.晶圓大小：四英寸,。
2.工藝腔內(nèi)徑≤300mm,，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯,，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理,。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃,。
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W，支持預(yù)置匹配點(diǎn),，支持脈沖功能,。6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況
下連續(xù)運(yùn)行,。
7.#（略）輸出,，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源,，石英耦合窗,，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠(yuǎn)等
離子體技術(shù),。
9.#載片臺(tái)直徑不小于160mm,。
10.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W，支持預(yù)置匹配點(diǎn),，支持脈沖功能,。11.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下
連續(xù)運(yùn)行,。
12.可控制基片表面溫度,，控溫范圍為-20℃~10℃。
13.（略）分子泵抽速≥1000L/s,。
14.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上,。
15.#（略）：Ar、O2,、CHF3,、CF4、SF6,、C4F8,。
16.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類(lèi)與氣體量
程,。
17.（略）柜,，質(zhì)量流量計(jì)MFC到反應(yīng)腔氣體接入口之間的氣體管道長(zhǎng)度小于15cm，實(shí)現(xiàn)工藝氣體的快速切換,。
18.#O2,、SF6、C4F8三種氣體需要支持連續(xù)刻蝕工藝,，也需要支持BOSCH工藝,。19.采用矩形插板閥隔斷工藝腔與傳輸腔。
20.（略）主機(jī)。
21.控制軟件具有如下功能：用戶等級(jí)與操作權(quán)限管理,；自動(dòng)運(yùn)行與工程維護(hù)界
面模塊,；實(shí)時(shí)顯示機(jī)臺(tái)狀態(tài)；日志管理功能,；動(dòng)作互鎖功能,；工藝菜單編輯功
能；機(jī)臺(tái)異常處理功能,。
22.帶有安全互鎖與急停機(jī)制（EMO）,。
23.★最大刻蝕深度大于300um。
24.深寬比大于6,。
25.整機(jī)尺寸不大于1700mm（長(zhǎng)）×1000mm（寬）×1550mm（高）,，操作面尺寸不大于1000mm。
離子增強(qiáng)刻蝕監(jiān)測(cè)模塊：26.#獨(dú)立DAC電壓輸出通道≥12個(gè),。
27.輸出電壓精度≥24位,。
28.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)≥120dB。
29.積分時(shí)間常數(shù)范圍包括:1us-500s,。
30.#極限壓強(qiáng)≤8×10-5Pa,，31.水氧指標(biāo)：＜1ppm
32.循環(huán)能力：集成風(fēng)機(jī)流量≥80m3/h
33.露點(diǎn)分析儀測(cè)量范圍包括0～500ppm
招標(biāo)文件其他內(nèi)容不變
三、其他補(bǔ)充事宜
無(wú)
四,、凡對(duì)本次公告內(nèi)容提出詢問(wèn),，請(qǐng)按以下方式：（略）
1.采購(gòu)人：（略）
名稱：（略）
地址：（略）
聯(lián)系方式：（略）
2.采購(gòu)代理機(jī)構(gòu)：（略）
名稱：（略）
地址：（略）
聯(lián)系方式：（略）
3.項(xiàng)目聯(lián)系方式：（略）
項(xiàng)目聯(lián)系人：（略）
電話：（略）
計(jì)劃財(cái)務(wù)部
2024年12月11日